Samsung: il primo chip a 3nm al mondo
Alla recente IEEE ISSCC International Solid-State Circuits Conference, chip a 3nm! Samsung ha ingrandito e Samsung ha acceso con successo la battaglia dei chip in tutto il mondo. Alla conferenza, Samsung ha lanciato il primo chip di memoria SRAM prodotto dal processo a 3 nm, spingendo nuovamente il processo a semiconduttore in una nuova fase. Il chip di memoria SRAM di processo a 3 nm di Samsung ha una capacità di 256 GB e un'area di soli 56 millimetri quadrati. Le prestazioni sono migliorate del 30% e il consumo energetico è ridotto del 50%. Si prevede che sarà ufficialmente prodotto in serie nel 2022. Samsung ha adottato una nuova tecnologia a transistor sul chip di processo a 3 nm e ha utilizzato la tecnologia GAA per risolvere una serie di problemi come la generazione di calore e l'eccessivo consumo energetico precedentemente riscontrato nel processo a 5 nm. La tecnologia GAAFET è più compatta nella disposizione e può ospitare più transistor, quindi l'area del chip corrispondente sarà ulteriormente ridotta, insieme al suo controllo più preciso della corrente cross-channel, si prevede di raggiungere la leadership tecnologica.
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